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   河北神通光电科技有限公司是中国电子科技集团第十三研究所投资兴办的高科技企业,主要从事机半导体设备的研制和生产,依托13所雄厚的技术势力,良好的配套试验环境,领先行业的制造工艺,可以半导体生产、研制提供个性化的生产设备。 13所神通公司有40多年生产半导体设备的历史,在充分吸收国内外先进技术的基础上,联合所内外工艺人员开发了多种半导体工艺设备。并多次获得国家级、部级科学进步奖。
光刻机介绍
光刻机
红外对准光刻机

JB—VI--1型四英寸/双面对准光刻机

光刻机主要技术指标:
1、 掩模尺寸:4英寸以下;
2、 样片尺寸:φ10mm≤样片直径≤2″,各种标准的或非标准的、规则的或不规则的厚度小于等于1mm的样片;双面光刻的样片须是经双面抛光的透近红外光的样片,如砷化鎵,磷化铟,硅等.
3、光刻机 对准显微镜:双物镜、分离视场金相显微镜,最大倍率375倍,最高分辨率1微米;
4、光刻机 显微镜扫描范围:±25mm×±25mm;
5、 光刻机曝光系统:
     a、光刻机光源:GCQ200w超高压汞灯;
     b、光刻机曝光波长:UV365nm;(g、h、i三谱线组合};
     c、光刻机有效曝光范围:φ102mm;
     d、光刻机光强不均匀性:φ102mm内,  ≤±3.5%;
     e、光刻机光强:每平方厘米4~8mw。
     F、光刻机红外光源:IR850nm;
     G、光刻机曝光最细线条:5 u m
   6、光刻机电控部分:
     a、直流态有恒功率开关电源;
     b、数显曝光时间设定范围:1″~9999″。
   7、光刻机对准工作台
      工作台对准范围:
      X、Y向:±2.5mm;θ角:±15°
      Z向:调整范围:2 mm;微分离调节范围:10~20m
   8、光刻机主机外形尺寸:长×宽×高    662×850×1325

 

光刻机
光刻机 半导体清洗设备 等离子清洗机
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