JB—VI--1型四英寸/双面对准光刻机

光刻机主要技术指标：
1、 掩模尺寸：4英寸以下；
2、 样片尺寸：φ10mm≤样片直径≤2″，各种标准的或非标准的、规则的或不规则的厚度小于等于1mm的样片；双面光刻的样片须是经双面抛光的透近红外光的样片,如砷化鎵,磷化铟,硅等.
3、光刻机 对准显微镜：双物镜、分离视场金相显微镜，最大倍率375倍，最高分辨率1微米；
4、光刻机 显微镜扫描范围：±25mm×±25mm；
5、 光刻机曝光系统：
     a、光刻机光源：GCQ200w超高压汞灯；
     b、光刻机曝光波长：UV365nm；（g、h、i三谱线组合}；
     c、光刻机有效曝光范围：φ102mm；
     d、光刻机光强不均匀性：φ102mm内，  ≤±3.5%；
     e、光刻机光强：每平方厘米4~8mw。
     F、光刻机红外光源：IR850nm；
     G、光刻机曝光最细线条：5 u m
   6、光刻机电控部分：
     a、直流态有恒功率开关电源；
     b、数显曝光时间设定范围：1″~9999″。
   7、光刻机对准工作台
      工作台对准范围：
      X、Y向：±2.5mm；θ角：±15°
      Z向：调整范围：2 mm；微分离调节范围：10~20m
   8、光刻机主机外形尺寸：长×宽×高    662×850×1325